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RP1E090XNTCR

Rohm Semiconductor

型号:

RP1E090XNTCR

品牌:

Rohm Semiconductor

封装:

MPT6

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 30V 9A MPT6

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	440 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.8 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 9A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Supplier Device Package	MPT6
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta)
Series	-
Package / Case	6-SMD, Flat Leads
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Ta)
Mfr	Rohm Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RP1E090