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RQ3L050GNTB

Rohm Semiconductor

型号:

RQ3L050GNTB

品牌:

Rohm Semiconductor

封装:

8-HSMT (3.2x3)

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.8 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	61mOhm @ 5A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 25µA
Supplier Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Power Dissipation (Max)	14.8W (Tc)
Series	-
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Mfr	Rohm Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RQ3L050