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RQ6E055BNTCR

Rohm Semiconductor

型号:

RQ6E055BNTCR

品牌:

Rohm Semiconductor

封装:

TSMT6 (SC-95)

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	355 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.6 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 5.5A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Supplier Device Package	TSMT6 (SC-95)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta)
Series	-
Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.5A (Ta)
Mfr	Rohm Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RQ6E055