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RX3L18BBGC16

Rohm Semiconductor

型号:

RX3L18BBGC16

封装:

TO-220AB

批次:

-

数据手册:

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描述:

NCH 60V 240A, TO-220AB, POWER MO

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.84mOhm @ 90A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Power Dissipation (Max) 192W (Tc)
Series -
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240A (Ta), 180A (Tc)
Mfr Rohm Semiconductor
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tube
Base Product Number RX3L18

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