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SCT2H12NZGC11

Rohm Semiconductor

型号:

SCT2H12NZGC11

封装:

TO-3PFM

批次:

-

数据手册:

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描述:

SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 184 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 18 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 900µA
Supplier Device Package TO-3PFM
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Series -
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Tc)
Mfr Rohm Semiconductor
Vgs (Max) +22V, -6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Package Tube
Base Product Number SCT2H12

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