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SCT3160KW7TL

Rohm Semiconductor

型号:

SCT3160KW7TL

封装:

TO-263-7

批次:

-

数据手册:

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描述:

SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 398 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 18 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 208mOhm @ 5A, 18V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package TO-263-7
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Power Dissipation (Max) 100W
Series -
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Mfr Rohm Semiconductor
Vgs (Max) +22V, -4V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SCT3160

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