首页 / 单 FET，MOSFET / SCTH40N120G2V7AG

SCTH40N120G2V7AG

STMicroelectronics

型号:

SCTH40N120G2V7AG

品牌:

STMicroelectronics

封装:

H2PAK-7

批次:

数据手册:

描述:

SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 请查询

请发送RFQ，我们将立即回复。

联系人姓名

电子邮箱

公司名称

国家

购买数量

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 SCTH40N120G2V7AG 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 SCTH40N120G2V7AG 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 SCTH40N120G2V7AG 的最新报价。 SCTH40N120G2V7AG 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1230 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 18 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 20A, 18V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Supplier Device Package	H2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Power Dissipation (Max)	250W (Tc)
Series	Automotive, AEC-Q101
Package / Case	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	33A (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	+22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SCTH40