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SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

型号:

SCTL35N65G2V

品牌:

STMicroelectronics

封装:

PowerFlat™ (8x8) HV

批次:

数据手册:

描述:

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1370 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	73 nC @ 20 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67mOhm @ 20A, 20V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Supplier Device Package	PowerFlat™ (8x8) HV
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Power Dissipation (Max)	417W (Tc)
Series	-
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	+22V, -10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SCTL35