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SCTWA10N120

STMicroelectronics

型号:

SCTWA10N120

封装:

HiP247™ Long Leads

批次:

-

数据手册:

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描述:

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 20 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 20V
Product Status Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA (Typ)
Supplier Device Package HiP247™ Long Leads
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Series -
Package / Case TO-247-3
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Mfr STMicroelectronics
Vgs (Max) +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Package Tube
Base Product Number SCTWA10

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