minImg

SI1029X-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SI1029X-T1-GE3

封装:

SC-89 (SOT-563F)

批次:

-

数据手册:

pdf.png

描述:

MOSFET N/P-CH 60V SC89-6

购买数量:

递送:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

付款:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

库存 : 19760

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

  • 1

    $0.4655

    $0.4655

  • 10

    $0.39615

    $3.9615

  • 100

    $0.295545

    $29.5545

  • 500

    $0.232199

    $116.0995

  • 1000

    $0.179426

    $179.426

请发送询价,我们将立即回复。

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商,销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件,确保所有产品均经过严格质量控制,符合最高标准。 如有兴趣了解 SI1029X-T1-GE3 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款,请随时联系我们。为便于处理您的询价,请将 SI1029X-T1-GE3 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 SI1029X-T1-GE3 的最新报价。 SI1029X-T1-GE3 最新信息:#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Logic Level Gate
Configuration N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V, 23pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package SC-89 (SOT-563F)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Series TrenchFET®
Package / Case SOT-563, SOT-666
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 250mW
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 305mA, 190mA
Mfr Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SI1029

SI1029X-T1-GE3 标签

  • SI1029X-T1-GE3
  • SI1029X-T1-GE3 PDF
  • SI1029X-T1-GE3 数据表
  • SI1029X-T1-GE3 规格
  • SI1029X-T1-GE3 图片
  • 买 SI1029X-T1-GE3
  • SI1029X-T1-GE3 价格
  • SI1029X-T1-GE3 分类
  • SI1029X-T1-GE3 关联产品
  • SI1029X-T1-GE3 关联新闻