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SI1079X-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SI1079X-T1-GE3

封装:

SC-89-6

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.4A, 4.5V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package SC-89-6
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Power Dissipation (Max) 330mW (Ta)
Series -
Package / Case SOT-563, SOT-666
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.44A (Ta)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SI1079

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