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SI2301BDS-T1-BE3

Vishay Siliconix

型号:

SI2301BDS-T1-BE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

SOT-23-3 (TO-236)

批次:

数据手册:

描述:

P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	375 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Power Dissipation (Max)	700mW (Ta)
Series	-
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.2A (Ta)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)