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SI3458BDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SI3458BDV-T1-GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

6-TSOP

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 3.2A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Supplier Device Package	6-TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta), 3.3W (Tc)
Series	TrenchFET®
Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.1A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI3458