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SI3459BDV-T1-BE3

Vishay Siliconix

型号:

SI3459BDV-T1-BE3

封装:

6-TSOP

批次:

-

数据手册:

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描述:

P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 216mOhm @ 2.2A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package 6-TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Series -
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Ta), 2.9A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)

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