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SI4401BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SI4401BDY-T1-GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

8-SOIC

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 10.5A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Supplier Device Package	8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta)
Series	TrenchFET®
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.7A (Ta)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI4401