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SI4465ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

型号:

SI4465ADY-T1-E3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

8-SOIC

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET P-CH 8V 8SOIC

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	85 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 14A, 4.5V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Supplier Device Package	8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)	8 V
Power Dissipation (Max)	3W (Ta), 6.5W (Tc)
Series	TrenchFET®
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13.7A (Ta), 20A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI4465