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SI4490DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SI4490DY-T1-GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

8-SOIC

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO

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库存 : 130

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$2.014

$2.014
10

$1.80595

$18.0595
100

$1.451695

$145.1695
500

$1.192687

$596.3435
1000

$0.988218

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 4A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package	8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Power Dissipation (Max)	1.56W (Ta)
Series	TrenchFET®
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.85A (Ta)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI4490