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SI4774DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SI4774DY-T1-GE3

封装:

8-SOIC

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TA)
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1025 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.3 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V
Product Status Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Power Dissipation (Max) 5W (Tc)
Series SkyFET®, TrenchFET®
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SI4774

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