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SI4860DY-T1-E3

Vishay Siliconix

型号:

SI4860DY-T1-E3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

8-SOIC

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 16A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package	8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	1.6W (Ta)
Series	TrenchFET®
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Ta)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI4860