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SI4936BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SI4936BDY-T1-GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

8-SOIC

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

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1

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10

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100

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	530pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 5.9A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Supplier Device Package	8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	TrenchFET®
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	2.8W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.9A
Mfr	Vishay Siliconix
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI4936