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SI5504BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SI5504BDC-T1-GE3

封装:

1206-8 ChipFET™

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Logic Level Gate
Configuration N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Series TrenchFET®
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 3.12W, 3.1W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A, 3.7A
Mfr Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SI5504

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