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SI6423DQ-T1-BE3

Vishay Siliconix

型号:

SI6423DQ-T1-BE3

封装:

8-TSSOP

批次:

-

数据手册:

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描述:

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 400µA
Supplier Device Package 8-TSSOP
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Power Dissipation (Max) 1.05W (Ta)
Series -
Package / Case 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.2A (Ta)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)

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