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SI7686DP-T1-E3

Vishay Siliconix

型号:

SI7686DP-T1-E3

封装:

PowerPAK® SO-8

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Series TrenchFET®
Package / Case PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SI7686

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