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SI7792DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SI7792DP-T1-GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

PowerPAK® SO-8

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Schottky Diode (Body)
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4735 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 20A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	6.25W (Ta), 104W (Tc)
Series	SkyFET®, TrenchFET® Gen III
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40.6A (Ta), 60A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI7792