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SI8465DB-T2-E1

Vishay Siliconix

型号:

SI8465DB-T2-E1

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

4-Microfoot

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	450 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	104mOhm @ 1.5A, 4.5V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Supplier Device Package	4-Microfoot
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Power Dissipation (Max)	780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Series	TrenchFET®
Package / Case	4-XFBGA, CSPBGA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI8465