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SI8483DB-T2-E1

Vishay Siliconix

型号:

SI8483DB-T2-E1

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

6-Micro Foot™ (1.5x1)

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET P-CH 12V 16A 6MICRO FOOT

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1840 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 1.5A, 4.5V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Supplier Device Package	6-Micro Foot™ (1.5x1)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Power Dissipation (Max)	2.77W (Ta), 13W (Tc)
Series	TrenchFET®
Package / Case	6-UFBGA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI8483