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SI8499DB-T2-E1

Vishay Siliconix

型号:

SI8499DB-T2-E1

封装:

6-Micro Foot™ (1.5x1)

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 1.5A, 4.5V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Power Dissipation (Max) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Series TrenchFET®
Package / Case 6-UFBGA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SI8499

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