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SI9435BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

型号:

SI9435BDY-T1-E3

封装:

8-SOIC

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5.7A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Series TrenchFET®
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Ta)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SI9435

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