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SIA112LDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SIA112LDJ-T1-GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

PowerPAK® SC-70-6

批次:

数据手册:

描述:

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	355 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.8 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 10A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-70-6
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Power Dissipation (Max)	2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Series	TrenchFET®
Package / Case	PowerPAK® SC-70-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIA112