minImg

SIA445EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SIA445EDJ-T1-GE3

封装:

PowerPAK® SC-70-6

批次:

-

数据手册:

pdf.png

描述:

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

购买数量:

递送:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

付款:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

库存 : 2884

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

  • 1

    $0.5795

    $0.5795

  • 10

    $0.513

    $5.13

  • 100

    $0.3933

    $39.33

  • 500

    $0.310878

    $155.439

  • 1000

    $0.2487

    $248.7

请发送询价,我们将立即回复。

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商,销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件,确保所有产品均经过严格质量控制,符合最高标准。 如有兴趣了解 SIA445EDJ-T1-GE3 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款,请随时联系我们。为便于处理您的询价,请将 SIA445EDJ-T1-GE3 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 SIA445EDJ-T1-GE3 的最新报价。 SIA445EDJ-T1-GE3 最新信息:#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Series TrenchFET®
Package / Case PowerPAK® SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SIA445

SIA445EDJ-T1-GE3 标签

  • SIA445EDJ-T1-GE3
  • SIA445EDJ-T1-GE3 PDF
  • SIA445EDJ-T1-GE3 数据表
  • SIA445EDJ-T1-GE3 规格
  • SIA445EDJ-T1-GE3 图片
  • 买 SIA445EDJ-T1-GE3
  • SIA445EDJ-T1-GE3 价格
  • SIA445EDJ-T1-GE3 分类
  • SIA445EDJ-T1-GE3 关联产品
  • SIA445EDJ-T1-GE3 关联新闻