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SIA477EDJT-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SIA477EDJT-T1-GE3

封装:

PowerPAK® SC-70-6 Single

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3050 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 5A, 4.5V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Single
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Power Dissipation (Max) 19W (Tc)
Series TrenchFET® Gen III
Package / Case PowerPAK® SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SIA477

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