minImg

SICW080N120Y4-BP

Micro Commercial Co

型号:

SICW080N120Y4-BP

封装:

TO-247-4

批次:

-

数据手册:

pdf.png

描述:

N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4

购买数量:

递送:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

付款:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

库存 : 338

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

  • 1

    $15.751

    $15.751

  • 10

    $13.8776

    $138.776

  • 100

    $12.002015

    $1200.2015

  • 500

    $10.876854

    $5438.427

请发送询价,我们将立即回复。

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商,销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件,确保所有产品均经过严格质量控制,符合最高标准。 如有兴趣了解 SICW080N120Y4-BP 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款,请随时联系我们。为便于处理您的询价,请将 SICW080N120Y4-BP 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 SICW080N120Y4-BP 的最新报价。 SICW080N120Y4-BP 最新信息:#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 890 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 18 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 20A, 18V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package TO-247-4
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Power Dissipation (Max) 223W (Tc)
Series -
Package / Case TO-247-4
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 39A
Mfr Micro Commercial Co
Vgs (Max) +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Package Bulk
Base Product Number SICW080

SICW080N120Y4-BP 标签

  • SICW080N120Y4-BP
  • SICW080N120Y4-BP PDF
  • SICW080N120Y4-BP 数据表
  • SICW080N120Y4-BP 规格
  • SICW080N120Y4-BP 图片
  • 买 SICW080N120Y4-BP
  • SICW080N120Y4-BP 价格
  • SICW080N120Y4-BP 分类
  • SICW080N120Y4-BP 关联产品
  • SICW080N120Y4-BP 关联新闻