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SIDR626LEP-T1-RE3

Vishay Siliconix

型号:

SIDR626LEP-T1-RE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

PowerPAK® SO-8DC

批次:

数据手册:

描述:

N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5900 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5mOhm @ 20A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8DC
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Power Dissipation (Max)	7.5W (Ta), 150W (Tc)
Series	TrenchFET® Gen IV
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	48.7A (Ta), 218A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)