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SIDR638DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

型号:

SIDR638DP-T1-RE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

PowerPAK® SO-8DC

批次:

数据手册:

描述:

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

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库存 : 6000

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$2.071

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10

$1.7214

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100

$1.370185

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500

$1.159361

$579.6805
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$0.983696

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	204 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.88mOhm @ 20A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8DC
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Power Dissipation (Max)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Series	TrenchFET® Gen IV
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	64.6A (Ta), 100A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	+20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)