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SIDR680DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

型号:

SIDR680DP-T1-RE3

封装:

PowerPAK® SO-8DC

批次:

-

数据手册:

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描述:

N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 20A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8DC
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Power Dissipation (Max) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Series TrenchFET® Gen IV
Package / Case PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32.8A (Ta), 100A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)

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