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SIHA12N60E-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SIHA12N60E-GE3

封装:

TO-220 Full Pack

批次:

-

数据手册:

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描述:

N-CHANNEL 600V

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 937 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Series -
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tape & Reel (TR)

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