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SIHFR320-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SIHFR320-GE3

封装:

TO-252AA

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Series -
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number SIHFR320

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