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SIHK105N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SIHK105N60E-T1-GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

PowerPAK®10 x 12

批次:

数据手册:

描述:

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

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10

$4.36335

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100

$3.5302

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500

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2301 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 10A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Supplier Device Package	PowerPAK®10 x 12
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Power Dissipation (Max)	142W (Tc)
Series	EF
Package / Case	8-PowerBSFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)