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SIHL620S-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SIHL620S-GE3

封装:

D²PAK (TO-263)

批次:

-

数据手册:

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描述:

LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Series -
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Package Tube

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