首页 / 单 FET，MOSFET / SIHP10N40D-GE3

SIHP10N40D-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SIHP10N40D-GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

TO-220AB

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 384

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$1.3205

$1.3205
10

$1.1799

$11.799
100

$0.920265

$92.0265
500

$0.760209

$380.1045
1000

$0.600172

$600.172
2000

$0.560158

$1120.316
5000

$0.532152

$2660.76
10000

$0.512145

$5121.45

请发送询价，我们将立即回复。

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 SIHP10N40D-GE3 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 SIHP10N40D-GE3 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 SIHP10N40D-GE3 的最新报价。 SIHP10N40D-GE3 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	526 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 5A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Supplier Device Package	TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)	400 V
Power Dissipation (Max)	147W (Tc)
Series	-
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	SIHP10