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SIHP22N60E-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SIHP22N60E-GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	86 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 11A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Power Dissipation (Max)	227W (Tc)
Series	E
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	SIHP22