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SIHP25N50E-BE3

Vishay Siliconix

型号:

SIHP25N50E-BE3

封装:

TO-220AB

批次:

-

数据手册:

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描述:

N-CHANNEL 500V

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1980 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 12A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Series -
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube

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