首页 / 单 FET，MOSFET / SIJ4108DP-T1-GE3

SIJ4108DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SIJ4108DP-T1-GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

PowerPAK® SO-8

批次:

数据手册:

描述:

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 12050

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$1.5675

$1.5675
10

$1.3053

$13.053
100

$1.039205

$103.9205
500

$0.879301

$439.6505
1000

$0.746073

$746.073

请发送询价，我们将立即回复。

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 SIJ4108DP-T1-GE3 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 SIJ4108DP-T1-GE3 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 SIJ4108DP-T1-GE3 的最新报价。 SIJ4108DP-T1-GE3 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2440 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 10A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Power Dissipation (Max)	5W (Ta), 69.4W (Tc)
Series	TrenchFET®
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15.2A (Ta), 56.7A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIJ4108