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SIR470DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SIR470DP-T1-GE3

封装:

PowerPAK® SO-8

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5660 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 20A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Power Dissipation (Max) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Series TrenchFET®
Package / Case PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SIR470

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