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SIRA12BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SIRA12BDP-T1-GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

PowerPAK® SO-8

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8

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库存 : 11515

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1

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10

$0.59375

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100

$0.411065

$41.1065
500

$0.343463

$171.7315
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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1470 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3mOhm @ 10A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	5W (Ta), 38W (Tc)
Series	TrenchFET® Gen IV
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	27A (Ta), 60A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	+20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIRA12