minImg

SIRA84DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SIRA84DP-T1-GE3

封装:

PowerPAK® SO-8

批次:

-

数据手册:

pdf.png

描述:

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

购买数量:

递送:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

付款:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

库存 : 4792

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

  • 1

    $0.5225

    $0.5225

  • 10

    $0.4446

    $4.446

  • 100

    $0.308845

    $30.8845

  • 500

    $0.241129

    $120.5645

  • 1000

    $0.195994

    $195.994

请发送询价,我们将立即回复。

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商,销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件,确保所有产品均经过严格质量控制,符合最高标准。 如有兴趣了解 SIRA84DP-T1-GE3 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款,请随时联系我们。为便于处理您的询价,请将 SIRA84DP-T1-GE3 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 SIRA84DP-T1-GE3 的最新报价。 SIRA84DP-T1-GE3 最新信息:#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1535 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 15A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Power Dissipation (Max) 34.7W (Tc)
Series TrenchFET® Gen IV
Package / Case PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SIRA84

SIRA84DP-T1-GE3 标签

  • SIRA84DP-T1-GE3
  • SIRA84DP-T1-GE3 PDF
  • SIRA84DP-T1-GE3 数据表
  • SIRA84DP-T1-GE3 规格
  • SIRA84DP-T1-GE3 图片
  • 买 SIRA84DP-T1-GE3
  • SIRA84DP-T1-GE3 价格
  • SIRA84DP-T1-GE3 分类
  • SIRA84DP-T1-GE3 关联产品
  • SIRA84DP-T1-GE3 关联新闻