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SISS5623DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SISS5623DN-T1-GE3

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

PowerPAK® 1212-8S

批次:

数据手册:

描述:

P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1575 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 10A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Power Dissipation (Max)	4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Series	-
Package / Case	PowerPAK® 1212-8S
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SISS5623