minImg

SIZ322DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

型号:

SIZ322DT-T1-GE3

封装:

8-Power33 (3x3)

批次:

-

数据手册:

pdf.png

描述:

MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33

购买数量:

递送:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

付款:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

库存 : 2830

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

  • 1

    $0.836

    $0.836

  • 10

    $0.7239

    $7.239

  • 100

    $0.501315

    $50.1315

  • 500

    $0.418855

    $209.4275

  • 1000

    $0.356478

    $356.478

请发送询价,我们将立即回复。

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商,销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件,确保所有产品均经过严格质量控制,符合最高标准。 如有兴趣了解 SIZ322DT-T1-GE3 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款,请随时联系我们。为便于处理您的询价,请将 SIZ322DT-T1-GE3 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 SIZ322DT-T1-GE3 的最新报价。 SIZ322DT-T1-GE3 最新信息:#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 12.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.1nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.35mOhm @ 15A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package 8-Power33 (3x3)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Series TrenchFET® Gen IV
Package / Case 8-PowerWDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 16.7W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SIZ322

SIZ322DT-T1-GE3 标签

  • SIZ322DT-T1-GE3
  • SIZ322DT-T1-GE3 PDF
  • SIZ322DT-T1-GE3 数据表
  • SIZ322DT-T1-GE3 规格
  • SIZ322DT-T1-GE3 图片
  • 买 SIZ322DT-T1-GE3
  • SIZ322DT-T1-GE3 价格
  • SIZ322DT-T1-GE3 分类
  • SIZ322DT-T1-GE3 关联产品
  • SIZ322DT-T1-GE3 关联新闻