首页 / 单 FET，MOSFET / SPI11N60C3HKSA1

SPI11N60C3HKSA1

Infineon Technologies

型号:

SPI11N60C3HKSA1

品牌:

Infineon Technologies

封装:

PG-TO262-3-1

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 请查询

请发送RFQ，我们将立即回复。

联系人姓名

电子邮箱

公司名称

国家

购买数量

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 SPI11N60C3HKSA1 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 SPI11N60C3HKSA1 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 SPI11N60C3HKSA1 的最新报价。 SPI11N60C3HKSA1 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380mOhm @ 7A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 500µA
Supplier Device Package	PG-TO262-3-1
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Series	CoolMOS™
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	SPI11N