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SPP08N50C3XKSA1

Infineon Technologies

型号:

SPP08N50C3XKSA1

品牌:

Infineon Technologies

封装:

PG-TO220-3-1

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220-3

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 4.6A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 350µA
Supplier Device Package	PG-TO220-3-1
Drain to Source Voltage (Vdss)	560 V
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Series	CoolMOS™
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.6A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	SPP08N